收藏本站
IXFB120N50P2
120
100
80
60
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
8V
7V
6V
240
200
160
120
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
7V
40
80
6V
20
0
5V
40
0
5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
5
10
15
20
25
30
120
100
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
V GS = 10V
7V
3.2
2.8
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 60A Value vs.
Junction Temperature
V GS = 10V
80
60
6V
2.0
I D = 120A
I D = 60A
1.6
40
1.2
5V
20
0
4V
0.8
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 60A Value vs.
Drain Current
140
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
120
100
80
1.8
1.6
60
1.4
T J = 25oC
40
1.2
20
1.0
0.8
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFB170N30P MOSFET N-CH TO-264
IXFB210N20P MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264
IXFB30N120P MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
IXFB38N100Q2 MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
IXFB40N110P MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264
IXFB44N100P MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
IXFB44N100Q3 MOSFET N-CH 1000V 44A PLUS264
IXFB50N80Q2 MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264
相关代理商/技术参数
IXFB132N50P3 功能描述:MOSFET 500V 132A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB170N30P 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB210N20P 功能描述:MOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB210N30P3 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB300N10P 功能描述:MOSFET POLAR PWR MOSFET 100V, 300A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB30N120P 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB30N120Q2 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.38 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB38N100Q2 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube